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一种降低半导体晶圆晶边金属扩散污染的方法，包括：步骤S1：通过晶边刻蚀技术设备，开发生长致密性氧化物薄膜的工艺条件；步骤S2：在晶圆晶边裸硅现象的站点，利用生长致密性氧化物薄膜的工艺条件，在无膜质保护的区域生长所述致密性氧化物薄膜；步骤S3...
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