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本发明公开了一种P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型电流增强层，P型...
该专利属于长安大学所有，仅供学习研究参考，未经过长安大学授权不得商用。

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