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本发明公开了一种氧氯化铈宽禁带半导体材料的用途及其制备方法，所述用途为在制作蓝紫光发光器件中的应用，其化学组成式为CeOCl，空间群为P4/nmm，其晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝2。其制备方法主要步骤包括：将反应前躯体氯化铈和氧化镁混...
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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