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本发明公开了一种具有含氮的氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法，属于薄膜场效应晶体管器件技术领域。含氮的氧化物的主要通过反应溅射、共溅射来实现，N元素相对总的摩尔百分比含量控制在0.1到3%之间。本器件依次由基板、栅极、绝缘层、含氮氧化...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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