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本发明提供一种采用隧道场效应晶体管的集成电路及其制造方法，减少形成将两个隧道场效应晶体管电连接的电路所需要的面积及成本，并且还减少寄生电容、寄生电阻。作为解决方案，采用隧道场效应晶体管的集成电路的特征在于，在一个活性区域以同一极性形成有第一...
该专利属于独立行政法人产业技术综合研究所所有，仅供学习研究参考，未经过独立行政法人产业技术综合研究所授权不得商用。

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