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一种在导电基底上生长多孔二氧化锡纳米管的方法技术
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文档序号:13967818
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本发明公开了一种在导电基底上基于原位自刻蚀模板机理制备一维多孔二氧化锡纳米管的方法,属于无机化学和材料合成领域。本方法包括以下步骤:清洗导电玻璃‑配制ZnO前驱体溶液‑生长ZnO/导电玻璃‑配制SnO2前驱体溶液‑生长SnO2纳米管。本方法...
该专利属于济南大学所有,仅供学习研究参考,未经过济南大学授权不得商用。
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