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本发明属于超大规模集成电路领域中逻辑器件与电路领域，具体为一种增加电流开关比的隧穿场效应晶体管。本发明中，通过源区与漏区之间设低K介质区增大源区与本征区之间电场，提高开态电流和抑制关态电流。设置掺杂层与衬底形成反偏的PN结，隔离源区—低K介...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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