温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，装置包括：衬底和位于衬底上的绝缘层；碳纳米管，位于绝缘层上方，包括导电类型不同的第一部分和第二部分，第一部分的第一端部和第二部分的第一端部相连；在第一部分和第二部分的沟道区和...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。