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一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：衬底；电子渡越层，形成在衬底的上方；电子供应层，形成在电子渡越层的上方；以及缓冲层，形成在衬底与电子渡越层之间且包括AlxGa1‑xN(0≤x≤1)，其中，x值表示沿缓冲层的厚度方向的多个最大值...
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