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半导体器件以及使用其的电路布置制造技术
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文档序号:13913307
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本发明的各个实施例涉及半导体器件以及使用其的电路布置。提供了一种半导体器件和一种电路布置以便减小导通电阻。第一功率MOS晶体管和第二功率MOS晶体管形成在相同的半导体衬底上。形成在第一元件形成区域中的第一功率MOS晶体管具有不包括柱状体的无...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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