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半导体结构以及制备半导体结构的方法技术
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文档序号:13910905
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本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括:(1)提供衬底;(2)在所述衬底上表面形成石墨烯层;(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积,形成稀土氧化物层;(4)在所述稀土氧化物类单晶层远离所述衬底的一侧形成半导体层,其中,...
该专利属于清华大学所有,仅供学习研究参考,未经过清华大学授权不得商用。
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