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一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一...
该专利属于古河电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过古河电气工业株式会社授权不得商用。

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