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公开了用于在半导体管芯中形成穿体过孔(TBV)的技术。根据某些实施例，使用所公开的技术提供的TBV包括基于聚合物的阻挡层和导电晶种层，其通过将导电油墨直接施加至阻挡层并随后原位固化它而形成。在某些实施例中，在固化之后，得到的晶种层可以是薄的...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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