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公开了用于形成非平面电阻式存储器单元(例如，非平面电阻式随机存取存储器(ReRAM或RRAM)单元)的技术。对于给定的存储器单元空间，技术可以用于相对于平面电阻式存储器单元减小所涉及的形成电压要求和/或电阻(例如，在低电阻状态期间的电阻)。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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