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本发明涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置的制造方法包括以下步骤：提供一透光衬底；形成一栅极于透光衬底上；形成一栅极绝缘层覆盖于栅极上；形成一氧化半导体层于栅极绝缘层上，并至少部分位于栅极上方；形成一蚀刻终止层于栅极上方，并至少覆盖部...该专利属于南京瀚宇彩欣科技有限责任公司;瀚宇彩晶股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京瀚宇彩欣科技有限责任公司;瀚宇彩晶股份有限公司授权不得商用。