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本发明公开一种具有纳米孔隙的半导体元件及其制造方法。半导体元件包括一基板、一第一覆盖层形成于基板上、一第一介电层形成于第一覆盖层上、一第二覆盖层形成于第一介电层上、一第二介电层形成于第二覆盖层上、多条导线、一第三覆盖层形成于导线和第二介电层...
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