温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种金属硅化物的形成方法，首先提供衬底，所述衬底上形成有鳍，所述鳍上形成有栅极；然后沉积Ti金属层；接着进行所述Ti金属层的硅化，并去除未反应的所述Ti金属层。Ti原子具有较好的稳定性，在热退火的过程中，主要扩散的为Si原子，而...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。