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说明用于制造半导体层序列的方法，所述方法具有以下步骤：‑提供具有在生长侧（50a）处的生长面（51）的生长衬底（50），‑在生长侧处生长第一氮化半导体层（10），‑第二氮化半导体层（20）生长到第一氮化半导体层（10）上，其中第二氮化半导体...
该专利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司授权不得商用。

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