专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
上海华力微电子有限公司
>
一种离子注入层阴影效应分析结构的形成方法技术
>技术资料下载
下载一种离子注入层阴影效应分析结构的形成方法的技术资料
文档序号:13839953
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种离子注入层阴影效应分析结构的形成方法,包括:提供一阴影效应测试晶圆,所述阴影效应测试晶圆包括离子注入区和非离子注入区,在阴影效应测试晶圆表面形成厚度沿一X方向呈连续梯度分布的光刻胶层,图形化光刻胶层,以在阴影效应测试晶圆的非...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。