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本发明为制备半色调相移光掩模坯的方法，其中，含Si和N和/或O的半色调相移膜通过反应性溅射使用含硅的靶和反应性气体沉积在透明基底上。横跨多个靶施加不同的功率，从而将与迟滞曲线相关的选自金属模式、过渡模式和反应模式中的两种不同的溅射模式应用于...
该专利属于信越化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越化学工业株式会社授权不得商用。

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