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本发明公开了一种栅极缺陷的电压衬度分析方法，包含的步骤为：步骤一，对样品芯片进行研磨，研磨至接触孔层次；步骤二，采用低压电子束或高压离子束产生初始电压衬度像；步骤三，根据电压衬度图，寻找距离怀疑区域最近的发亮的接触孔；步骤四，在表面生长铂金...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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