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本发明提供一种静电放电保护结构和电子装置，所述静电放电保护结构包括：一LDMOS器件，所述LDMOS器件包括一嵌入式双极结型晶体管，其中所述LDMOS器件的栅极、源极、埋层引出区和衬底引出区均接地，所述LDMOS器件的漏极和体区引出区均与焊...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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