温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述半导体器件，包括：半导体衬底；若干鳍片结构，位于所述半导体衬底上；穿通停止层，位于所述鳍片结构中的沟道区内；扩散停止层，位于所述鳍片结构中所述穿通停止层的上方。本发明的优点在于，通过引入所...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。