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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种PSM对准标记结构的制备方法，通过于浅沟槽隔离结构上方设置样本栅，在该样本栅的顶部制备掩膜堆叠，且在高介电常数金属栅极的工艺中，由于浅沟槽隔离结构和有源区的台阶高度使得部分该掩膜堆叠得以保留，并籍由...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。