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本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：半导体衬底，位于半导体衬底上的浅沟槽隔离；位于半导体衬底上的介电层；位于相邻的浅沟槽隔离之间悬空的第一纳米线和与第一纳米线相接悬空的第二纳米线；分别环绕第...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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