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本发明提供了一种高压PMOS，所述的高压PMOS的漂移区由低压NMOS的P阱和高压NMOS的P型体区共同形成。本发明还提供了一种高压PMOS的制造方法包括：先在形成深N阱的P型衬底上，实施有源区光刻进行局部选择氧化工艺，以形成场氧化层且定义...
该专利属于帝奥微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过帝奥微电子有限公司授权不得商用。

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