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存储器结构及其制造方法技术
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文档序号:13794066
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本发明公开了在此提供一种存储器结构及其制造方法。这种存储器结构包括一基板、多个叠层、多个存储器层、一导电材料及多个导线。叠层位于基板上。叠层通过多个沟槽彼此分离。叠层分别包括交替堆栈的多个导电串线及多个绝缘串线。存储器层分别共形覆盖叠层。导...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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