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本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种IGBT器件的制造方法及其器件。其中，方法包括利用外延技术，以P+衬底，依次外延出耐压漂移区、P型体区外延层以及N+源区外延层，形成基体；利用光刻及刻蚀技术，在基体上开设栅区沟槽和肖特基沟槽；在栅区...
该专利属于吉林华微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林华微电子股份有限公司授权不得商用。

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