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根据一个实施方式，半导体装置包括第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一电极、第二电极、控制电极和绝缘膜。第一半导体区域是第一导电型的并且包含SiC。第二半导体区域设置在第一半导体区域上并且具有第一表面。第二半导体区域是第二导电...该专利属于株式会社东芝;独立行政法人产业技术综合研究所;富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝;独立行政法人产业技术综合研究所;富士电机株式会社授权不得商用。