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根据实施方式，存储装置具有：第1电极、设置在所述第1电极之上且具备具有结晶结构的硫属化合物的电阻变化层、及设置在所述电阻变化层上的第2电极。所述电阻变化层具有将所述第1电极的上表面及所述第2电极的下表面的一者覆盖的第1区域、及所述电阻变化层...
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