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文档序号:13766437

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本发明的实施方式提供一种能够抑制栅极绝缘膜的绝缘性下降的半导体装置。实施方式的半导体装置包括:半导体层;第一电极,设置在所述半导体层上,且连接于所述半导体层;第二电极,设置在所述半导体层上,且连接于所述半导体层;绝缘膜,设置在所述半导体层上...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。

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