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氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法技术
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文档序号:13747431
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本发明提供了一种氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法,方法首先在一衬底上依次沉积氮化镓层、掩模层和光刻胶层,然后在光刻胶层上排列一层紧密排列的聚苯乙烯小球,并以聚苯乙烯小球为透镜,对光刻胶层进行曝光并显影,以在光刻胶层形成圆形孔洞阵...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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