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本发明提供一种氮化镓GaN器件介质生长方法及系统，氮化镓器件介质生长过程中的高温感应耦合等离子体刻蚀工艺、远程等离子体修饰工艺及沉积工艺之间的转移通过集簇式封闭传送系统进行传送，从而能够在无氧传送环境中在各种工艺系统之间转移，有效避免材料表...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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