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本发明提供了一种测量光刻工艺套刻精度的方法及掩膜版，在同一个曝光图案周围同时设置有当层套刻对准标记和层间套刻对准标记，本发明不仅对每层内的曝光图案的套刻精度进行测量还同时对层间的套刻精度进行测量，提高了多层次曝光图案的套刻精度。...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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