专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
瑞萨电子株式会社
>
半导体器件的制造方法和半导体器件技术
>技术资料下载
下载半导体器件的制造方法和半导体器件的技术资料
文档序号:13723054
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明的各个实施例涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。本发明使得能够通过使用氮化物半导体来改进半导体器件的特性。在栅极电极上方形成导电膜,该栅极电极在衬底上方、其间中介有层间层绝缘膜;并且通过蚀刻该导电膜来形成源极电极和漏极电极,该源极电...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。