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本发明公开了一种室温稀磁半导体的制备方法，属于稀磁半导体制备技术领域。该方法将金属盐和丙二酸溶解到醇溶液中，调节pH值至中性，反应后过滤，洗涤，干燥，得到丙二酸配合物；将丙二酸配合物在高温煅烧一段时间，得到该室温稀磁半导体。该方法利用配合物...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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