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本发明公开了一种面向碳化硅高压大功率器件的边缘结终端结构，所述边缘结终端结构是在N型或P型碳化硅外延层上构建的，所述边缘结终端结构包括依次布置的台面、主结、扩展区、第一浮动保护环和表面有至少一个台阶的浮动保护区，所述主结位于台面的下侧，所述...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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