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本发明公开了一种高强度宽带太赫兹波发生器，基本结构包括：(1)双面抛光基底、[铁磁薄膜/非磁性金属薄膜/能透射THz波的绝缘层]n或[非磁性金属薄膜/铁磁薄膜/能透射THz波的绝缘层]n(n≥1，n为重复核心层个数)。使用时，外加磁场，磁场...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

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