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本发明涉及一种用于先进沟道CMOS整合的方法、设备及系统。至少一种所揭示的方法、设备及系统涉及半导体基材，可在该半导体基材上形成具有增强型电流驱动的NMOS及PMOS装置。形成具有增强型电子迁移率的第一基材。形成具有增强型电洞迁移率的第二基...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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