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本发明涉及一种单刀双掷开关(SPDT)结构，尤其是使用CMOS工艺实现的单刀双掷开关结构。这是一种使用CMOS工艺实现的具有高隔离度，高功率容量，低损耗的单刀双掷开关结构，属于CMOS射频集成电路中的开关领域。本发明采用晶体管栅端与体端浮动...
该专利属于杭州中科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中科微电子有限公司授权不得商用。

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