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本发明涉及半导体器件以及用于形成半导体器件的方法。该半导体器件包括第一晶体管结构，所述第一晶体管结构包括位于半导体衬底内的第一导电类型的第一晶体管体区。第一晶体管体区的至少部分位于第一晶体管结构的第一源极区/漏极区和第一晶体管结构的第二源极...
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