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本实用新型提供了一种紫外激光光刻装置,包括:紫外激光发生器和聚光镜组;所述紫外激光发生器用于发射紫外激光;所述聚光镜组用于将所述紫外激光聚集形成高能量的紫外激光点。其中,采用紫外激光发生器对半导体晶圆直接进行曝光,无需通过掩膜版来曝光形成所...该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。
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本实用新型提供了一种紫外激光光刻装置,包括:紫外激光发生器和聚光镜组;所述紫外激光发生器用于发射紫外激光;所述聚光镜组用于将所述紫外激光聚集形成高能量的紫外激光点。其中,采用紫外激光发生器对半导体晶圆直接进行曝光,无需通过掩膜版来曝光形成所...