温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体基底；位于半导体基底上的有源区，有源区具有栅极、源极和漏极；位于半导体基底上的闭合金属环状结构，用于包围有源区并通过接收电压以形成耗尽隔离层。本发明中耗尽隔离层通过电场耗...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。