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本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种具有电流扩展层的外延结构，至少包括：N型层、发光层、低温P型GaN层、电流扩展层和P型接触层，其特征在于：所述电流扩展层包括复数个子组合层，所述每一子组合层均包括未掺杂层、n型掺杂层和p型掺杂层，本...
该专利属于安徽三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽三安光电有限公司授权不得商用。

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