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缓变开关特性的沟槽栅超结MOSFET器件制造技术
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文档序号:13563120
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本实用新型提供一种缓变开关特性的沟槽栅超结MOSFET器件,包括至少一组横向并列连接的双元胞结构;双元胞结构中,单个元胞包括:N+型衬底背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极,N+型衬底上生长有N‑型外延层;在元胞的N‑型外延层两侧自顶...
该专利属于无锡同方微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡同方微电子有限公司授权不得商用。
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