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本发明属于半导体光催化技术领域，涉及一种具有3D多级结构的硅光催化剂的制备方法，该光催化剂由硅柱阵列经过清洗过程，然后在水浴温度为30℃下进行刻蚀，通过调控刻蚀时间获得多级硅。制备出的多级硅的光吸收强度大，其光电流为‑30mAcm‑2，是硅...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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