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本发明提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及CMOS器件。薄膜晶体管包括：基板；邻近基板设置的低温多晶硅层；与低温多晶硅层同层且设置在低温多晶硅层相对两端的第一、第二轻掺杂区，与低温多晶硅层同层设置的第一、第二重掺杂区，第一重掺杂区设置...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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