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在n型阱区(3)配置有Vs电位区(81)和H‑VDD电位区(82)，沿着外周而环状地配置有将n型阱区(3)内的Vs电位区(81)和H‑VDD电位区(82)与作为耐压区的n‑型阱区(4)以结分离的方式进行分离的p‑型分离区(53)。n‑型阱区...
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