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本发明涉及一种基于飞秒激光辅助的半导体材料外延生长方法和装置，所述方法在半导体材料外延生长初期，通过飞秒激光在线制备图形化衬底；在半导体材料外延生长过程中，通过飞秒激光改变生长原子的动力学特性，提高生长原子的表面迁移距离，并通过飞秒激光在局...
该专利属于武汉大学;广东昭信半导体装备制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学;广东昭信半导体装备制造有限公司授权不得商用。

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