下载掩模与半导体结构的技术资料

文档序号:13466238

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体结构与掩模。半导体结构形成于基底上,其包括第一区与第二区;第一区包围第二区;第一区具有第一图案密度;而第二区具有第二图案密度,其中第一图案密度小于第二图案密度;第二区包括中央区与边界区;中央区具有第一临界尺寸;边界区具...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。