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掩模与半导体结构制造技术
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文档序号:13466238
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本发明公开了一种半导体结构与掩模。半导体结构形成于基底上,其包括第一区与第二区;第一区包围第二区;第一区具有第一图案密度;而第二区具有第二图案密度,其中第一图案密度小于第二图案密度;第二区包括中央区与边界区;中央区具有第一临界尺寸;边界区具...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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